Физические принципы действия полупроводниковых приборов
Тип носителя:
Однотомник.
Место издания:
Москва
Издательство:
Изд-во МГУ
Год издания:
1986
Объем:
254,[3] с.
Аннотация:
В учебном пособии в наглядной форме излагаются механизмы проводимости в твердых телах, позволяющие с единых позиций объяснить принципы действия полупроводниковых приборов, образованных различного рода контактами. В качестве иллюстраций рассмотрены диоды с p-n переходом и барьером Шоттки; диффузионные, дрейфоввые и полевые транзисторы, а также диоды Ганна. Материал, изложенный в книге, является промежуточным звеном между фундаментальным курсом по физике полупроводников и прикладными спецкурсами, посвященными технологии ии применению полупроводниковых приборов. Книга предназначена для студентов радиофизических специальностей университетов и инженерно-технических вузов
Федеральное государственное бюджетное учреждение культуры «Российская государственная библиотека для молодёжи»
Главное здание
107061 Москва, ул. Б. Черкизовская, дом 4, корпус 1 Метро «Преображенская площадь» (выход №5) Телефон для справок: +7 499 670-80-01 E-mail: info@rgub.ru
Филиал библиотеки — МИКК «Особняк В.Д. Носова»
107023 Москва, ул. Электрозаводская, 12, стр. 1 Метро «Электрозаводская» Телефоны для справок: +7 499 670-80-01 (доб. 600) E-mail: mansion@rgub.ru
![Овечкин Ю. А., Полупроводниковые приборы. [Учеб. для радиотехн. спец. техникумов] — 1986 (Учебник для техникумов)](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000707512.jpg "Овечкин Ю. А., Полупроводниковые приборы. [Учеб. для радиотехн. спец. техникумов] — 1986 (Учебник для техникумов)»")
