Поиск по основным рубрикам каталога
Рубрика: Плазменная электроника
Вернуться к списку рубрик
Найдено изданий: 53
 |
Опадчий Ю. Ф., Аналоговая и цифровая электроника. Полный курс. Учеб. для вузов — 2002
Рассматривается элементная база устройств полупроводниковой электроники, диоды, транзисторы, тиристоры, приборы с зарядовой связью: приведена классификация, вольт-амперные и частотные характеристики, основные схемы включения и особенности применения конкретных приборов в различных режимах работы. Излагаются принципы построения типовых аналоговых, импульсных и цифровых устройств. Приведены способы математического описания их работы, а также основы анализа и направленного синтеза устройств с заданными техническими характеристиками. Для студентов, обучающихся по специальности "Проектирование и технология радиоэлектронных средств"
Подробная информация
|
 |
Петухов В. М., Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов. Справочник — 1997
В настоящем справочнике приведены перечни различных классов отечественных транзисторов и их зарубежных аналогов с указанием фирм-изготовителей, а также зарубежных транзисторов и их отечественных аналогов. Для удобства работы отечественные и зарубежные типы транзисторов приведены в алфавитно-цифровой последовательности
Подробная информация
|
 |
Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности. Справочник — 1994
Приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов - полевых и биполярных транзисторов малой мощности, используемых в разнообразной радиоэлектронной аппаратуре. Даются классификация, система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры
Подробная информация
|
 |
Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности. Справочник — 1994
Приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов — полевых и биполярных транзисторов средней и большой мощности, используемых в разнообразной радиоэлектронной аппаратуре. Даются классификация, система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры
Подробная информация
|
 |
Евсеев Ю. А., Симисторы и их применение в бытовой электроаппаратуре — 1990
Рассмотрены свойства, параметры и характеристики симисторов ключевых элементов, используемых в качестве переключателей и регу]ляторов переменного тока в бытовой электроаппаратуре. Приведены практические схемы устройств освещения, электрообогрева, электроин]струмента, в которых применяются симисторы. Приводятся справочные данные симисторов, применяемых в электробытовой аппаратуре. Для любителей и широкого круга читателей, интересующихся бытовой электроаппаратурой и применением полупроводниковых приборов
Подробная информация
|
![Тугов Н. М., Полупроводниковые приборы. [Учебник для вузов] — 1990 (Для студентов вузов)](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000359498.jpg) |
Тугов Н. М., Полупроводниковые приборы. [Учебник для вузов] — 1990 (Для студентов вузов)
Приведены физические свойства, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов, применяемых в устройствах промышленной электроники. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей предельных режимов эксплуатации, методов управления и защиты полупроводниковых приборов. Для студентов вузов, обучающихся по специальности "Промышленная электроника"
Подробная информация
|
 |
Нефедов А. В., Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги. Справочник — 1990 (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1154)
Приведены сведения об условных обозначениях, электрических параметрах, конструкциях корпусов отечественных и аналогичных зарубежных полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов). По сравнению со вторым изданием (1985 г.) значительно расширена номенклатура приборов. Для подготовленных радиолюбителей
Подробная информация
|
 |
Носов Ю. Р., Приборы с зарядовой связью — 1989 (Новое в жизни, науке и технике. Радиоэлектроника и связь. 12/1989)
В брошюре в популярной форме описаны достижения и перспективы развития фоточувствительных полупроводниковых приборов с зарядовой связью, служащих для восприятия световых образов и преобразования их в электрические видеосигналы. Рассмотрены основные области современного и будущего применений ПЗС. Рассчитана на широкий круг читателей
Подробная информация
|
 |
Цербст М., Контрольно-измерительная техника — 1989
Систематизированы сведения о современных методах измерения параметров и испытаний полупроводниковых приборов, интегральных микросхем и оптоэлектронных элементов. Рассмотрены перспективные способы определения характеристик изделий электронной техники, в том числе силовых полупроводниковых приборов. Приведены схемы автоматических контрольных устройств и измерительных станций. Для инженерно-технических работников в области электронно-измерительной техники, студентов вузов и широкого круга читателей, интересующихся вопросами качества электронных приборов
Подробная информация
|
 |
Транзисторы. Справочник — 1989 (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1144)
В табличной форме приведены сведения об основных электрических параметрах, предельно допустимых режимах работы современной номенклатуры транзисторов, выпускаемых отечественной промышленностью. Даны габаритные чертежи приборов. Для широкого круга радиолюбителей
Подробная информация
|
![Запорожский В. П., Обработка полупроводниковых материалов. [Учеб. пособие для сред. ПТУ] — 1988](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000613873.jpg) |
Запорожский В. П., Обработка полупроводниковых материалов. [Учеб. пособие для сред. ПТУ] — 1988
В книге приведены основные сведения о технологическом процессе производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, описаны режимы обработки, причины возникновения брака и способы его устранения; процессы механической обработки пластин, разделения их на кристаллы, изготовление фотошаблонов; устройство, наладка, правила эксплуатации типового оборудования и др.
Подробная информация
|
 |
Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные. Стабилитроны. Тиристоры. справочник — 1988
Приведены справочные данные по электрическим параметрам, габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам, сведения по основному функциональному назначению серийно выпускаемых приборов: выпрямительных диодов, столбов, диодных сборок, блоков, матриц, стабилитронов, тиристоров. Даны динамические, импульсные, частотные и температурные зависимости параметров. Описаны особенности при]менения в радиоэлектронной аппаратуре. Для широкого круга специалистов, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры
Подробная информация
|
 |
Замятин В. Я., Мощные полупроводниковые приборы. Тиристоры. Справочник — 1987
Содержит данные по электрическим параметрам, габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам, сведения по основному функциональному назначению отечественных тиристоров. Приводятся динамические, импульсные, частотные, температурные зависимости параметров, а также описываются особенности применения тиристоров в радиоэлектронной аппаратуре. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры
Подробная информация
|
 |
Кублановский Я. С., Тиристорные устройства — 1987 (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1104)
Рассматриваются устройство, принципы действия и характеристики диодных и триодных тиристоров, показаны способы и возможности их применения на примерах схем различных устройств (выключатели и переключатели постоянного и переменного токов, реле времени, импульсные генераторы, регуляторы мощности и т.д.). Приводятся рекомендации по выбору и расчету основных элементов схем. Первое издание вышло в 1978 г. Материал настоящего издания значительно обновлен. Для подготовленных радиолюбителей
Подробная информация
|
![Ржевкин К. С., Физические принципы действия полупроводниковых приборов. [Учеб. пособие для физ. спец. вузов] — 1986](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000709448.jpg) |
Ржевкин К. С., Физические принципы действия полупроводниковых приборов. [Учеб. пособие для физ. спец. вузов] — 1986
В учебном пособии в наглядной форме излагаются механизмы проводимости в твердых телах, позволяющие с единых позиций объяснить принципы действия полупроводниковых приборов, образованных различного рода контактами. В качестве иллюстраций рассмотрены диоды с p-n переходом и барьером Шоттки; диффузионные, дрейфоввые и полевые транзисторы, а также диоды Ганна. Материал, изложенный в книге, является промежуточным звеном между фундаментальным курсом по физике полупроводников и прикладными спецкурсами, посвященными технологии ии применению полупроводниковых приборов. Книга предназначена для студентов радиофизических специальностей университетов и инженерно-технических вузов
Подробная информация
|
![Овечкин Ю. А., Полупроводниковые приборы. [Учеб. для радиотехн. спец. техникумов] — 1986 (Учебник для техникумов)](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000707512.jpg) |
Овечкин Ю. А., Полупроводниковые приборы. [Учеб. для радиотехн. спец. техникумов] — 1986 (Учебник для техникумов)
В книге рассмотрены принципы работы, устройство и технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. 3-е издание (2-е - 1979г.) переработано с учетом последних достижений в области физики, химии и технологии изготовления полупроводниковых приборов; в него включены материалы по микросборкам, новым полупроводниковым приборам и микросхемам
Подробная информация
|
 |
Курносов А. И., Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. [Учеб. пособие для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Полупроводниковые приборы"] — 1986 (Учебное пособие для вузов)
В книге рассмотрены основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В 3-е издание (2-е - в 1979 г.) введены новые разделы, посвященные технологическим процессам радиационной обработки материалов и приборов, новейшим конструкциям корпусов интегральных микросхем, а также полупроводниковым материалам
Подробная информация
|
![Блинов И. Г., Оборудование полупроводникового производства. [Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов] — 1986 (Для вузов)](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000707466.jpg) |
Блинов И. Г., Оборудование полупроводникового производства. [Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов] — 1986 (Для вузов)
В учебном пособии изложены вопросы конструирования и особенности основных видов технологического оборудования полупроводникового производства. Сформулированы требования к оборудованию, определяемые технологическими процессами, и даны практические рекомендации по их реализации. Наряду с рассмотрением отдельных видов устройств отмечена необходимость системного подхода к комплексной механизации и автоматизации производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Учебное пособие предназначено для студентов вузов, изучающих оборудование полупроводникового производства в курсах "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы" и "Технология специальных материалов электронной техники". Оно также может быть использовано студентами специальности "Полупроводниковое и электровакуумное машиностроение"
Подробная информация
|
 |
Окснер Э.С., Мощные полевые транзисторы и их применение — 1985
В книге американского специалиста рассматриваются принципы работы, конструктивно-технологические особенности и характеристики основных типов мощных полевых транзисторов с управляющим р-п переходом и МДП-структурой, описываются их модели различной сложности и назначения, схемотехника многочисленных устройств, для которых наиболее перспективно использование мощных полевых транзисторов, при этом уделяется внимание режимам их работы и возможным причинам отказов. Для разработчиков электронных приборов и специалистов, занимающихся применением мощных полевых транзисторов
Подробная информация
|
 |
Мощные высокочастотные транзисторы — 1985
Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных высокочастотных транзисторов
Подробная информация
|
|
|
![Тугов Н. М., Полупроводниковые приборы. [Учебник для вузов] — 1990 (Для студентов вузов)](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000359498-large.jpg)
![Запорожский В. П., Обработка полупроводниковых материалов. [Учеб. пособие для сред. ПТУ] — 1988](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000613873-large.jpg)
![Ржевкин К. С., Физические принципы действия полупроводниковых приборов. [Учеб. пособие для физ. спец. вузов] — 1986](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000709448-large.jpg)
![Овечкин Ю. А., Полупроводниковые приборы. [Учеб. для радиотехн. спец. техникумов] — 1986 (Учебник для техникумов)](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000707512-large.jpg)
![Блинов И. Г., Оборудование полупроводникового производства. [Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов] — 1986 (Для вузов)](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000707466-large.jpg)
